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T1G4020036-FLTriquint射频结栅场效应晶体管

发布时间:2019/10/23 12:23:00 访问次数:32发布企业:深圳市莱利尔科技有限公司

T1G4020036-FL该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率,这是DDR4规格内最高速度。功耗也显着提高,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约40%。

T1G4020036-FL原装进口Triquint射频结栅场效应晶体管 DC-3.5GHz
特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。


DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示:“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应, 积极应对市场需求。”


另一方面,SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。

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