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FM25CL64B-GTR

发布时间:2019/9/29 15:51:00 访问次数:48发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





功能说明:FM25CL64B-GTR
FM25CL64B-GTR是一种64-Kbit非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取内存或F-RAM是非易失性的,可以执行读写操作类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留同时消除了复杂性,开销和系统级别串行闪存,EEPROM等引起的可靠性问题非易失性存储器。与串行闪存和EEPROM不同,FM25CL64B-GTR的性能以总线速度进行写操作。没有写入延迟。数据每个字节被写入后立即写入存储器阵列成功转移到设备。下一个公交周期可以无需进行数据轮询即可开始。除此之外与其他产品相比,该产品具有可观的书写耐力非易失性存储器。 FM25CL64B-GTR能够支持1014个读/写周期,或多一亿倍的写周期比EEPROM。这些功能使FM25CL64B-GTR非常适合非易失性需要频繁或快速写入的内存应用程序。示例范围从数据收集到写次数周期对于要求严格的工业控制至关重要,串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。FM25CL64B-GTR为串行用户提供了很多好处EEPROM或闪存作为硬件的替代品。
FM25CL64B-GTR使用高速SPI总线,从而增强了F-RAM技术的高速写入能力。设备规格在工业温度范围内得到保证范围为–40C至+85C。


特征:FM25CL64B-GTR
■逻辑上的64 Kb铁电随机存取存储器(F-RAM)
组织为8K×8
❐高耐用性100万亿(1014)读/写
❐151年的数据保留(请参阅数据保留和持久性
在第12页上)
De NoDelay™写道
❐先进的高可靠性铁电工艺
■非常快速的串行外围设备接口(SPI)
frequency高达20 MHz的频率
❐直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■复杂的写保护方案
using使用写保护(WP)引脚进行硬件保护
using使用禁止写入指令进行软件保护
❐针对1 / 4、1 / 2或整个阵列的软件块保护
■低功耗
1 MHz时有200 A的有功电流
❐3A(典型值)待机电流
■低压操作:VDD = 2.7 V至3.65 V
■工业温度:–40C到+85C
■包装
❐8引脚小尺寸集成电路(SOIC)封装
❐8针薄型双扁平无引线(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS)


制造商:FM25CL64B-GTR
Cypress Semiconductor
产品种类:
F-RAM
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
存储容量:
64 kbit
接口类型:
SPI
组织:
8 k x 8
电源电压-最小:
2.7 V
电源电压-最大:
3.65 V
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 85 C
系列:
FM25CL64B-G
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
Cypress Semiconductor
湿度敏感性:
Yes
工作电源电压:
3.3 V
产品类型:
FRAM
工厂包装数量:
2500
子类别:
Memory & Data Storage
单位重量:
540 mg

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