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IPB100N04S2-04

发布时间:2019/9/29 15:49:00 访问次数:32发布企业:深圳市汇莱威科技有限公司

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产品种类: MOSFET 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 40 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 100 A 导通电阻: 3.3 mOhms 配置: Single 最大工作温度: + 175 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263 封装: Reel 商标: Infineon Technologies 下降时间: 33 ns 最小工作温度: - 55 C 功率耗散: 300 W 上升时间: 46 ns 系列: IPB100N04 工厂包装数量: 1000 典型关闭延迟时间: 56 ns 零件号别名: IPB100N04S204ATMA1 SP000219061 1 <a href=IPB100N04S2-04参数" width="100" style="border-width:1px;border-style:solid;border-color:#666666;" />

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