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FM24CL16B-GTR

发布时间:2019/9/29 15:47:00 访问次数:37发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





功能说明:FM24CL16B-GTR
FM24CL16B-GTR是16Kbit非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取内存或F-RAM是非易失性的,可以执行读写操作类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留同时消除了复杂性,开销和系统级EEPROM和其他非易失性引起的可靠性问题
回忆。与EEPROM不同,FM24CL16B-GTR在以下位置执行写操作:巴士速度。没有写入延迟。数据被写入每个字节成功之后立即存储阵列转移到设备上。下一个公交周期可以开始无需数据轮询。另外,产品提供与其他非易失性产品相比,具有实质性的写耐久性回忆。而且,F-RAM在写入过程中的功耗要低得多比EEPROM要大,因为写操作不需要内部写入电路的电源电压升高。
FM24CL16B-GTR能够支持1014个读/写周期,或者写周期比EEPROM多一亿倍。这些功能使FM24CL16B-GTR非常适合非易失性内存应用程序,需要频繁或快速写入。示例包括数据记录,写次数周期对于要求严格的工业控制至关重要,EEPROM写时间过长会导致数据丢失。的功能组合允许更频繁地写入数据减少系统开销。
FM24CL16B-GTR为串行用户提供了很多好处(I2C)EEPROM作为硬件替代品。设备规格在工业温度范围内得到保证–40C至+85C的范围16Kbit(2K×8)串行(I2C)F-RAM


特征:FM24CL16B-GTR
■逻辑上的16 Kb铁电随机存取存储器(F-RAM)
组织为2K×8
❐高耐用性100万亿(1014)读/写
❐151年的数据保留(请参阅数据保留和
耐力表)
De NoDelay™写道
❐先进的高可靠性铁电工艺
■快速2线串行接口(I2C)
frequency高达1MHz的频率
❐直接硬件替换串行(I2C)EEPROM
❐支持100 kHz和400 kHz的传统时序
■低功耗
100 kHz时的100 A有功电流
❐3A(典型值)待机电流
■电压操作:VDD = 2.7 V至3.65 V
■工业温度:–40C到+85C
■包装
❐8引脚小尺寸集成电路(SOIC)封装
❐8针双扁平无引线(DFN)封装
■符合有害物质限制(RoHS


制造商:FM24CL16B-GTR
Cypress Semiconductor
产品种类:
F-RAM
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
存储容量:
16 kbit
接口类型:
2-Wire
组织:
2 k x 8
电源电压-最小:
2.7 V
电源电压-最大:
3.65 V
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 85 C
系列:
FM24CL16B-G
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
Cypress Semiconductor
湿度敏感性:
Yes
工作电源电压:
3 V
产品类型:
FRAM
工厂包装数量:
2500
子类别:
Memory & Data Storage
单位重量:
540 mg

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