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FM24V05-GTR

发布时间:2019/9/29 15:46:00 访问次数:35发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





功能概述:FM24V05-GTR
FM24V05-GTR是采用高级铁电工艺的512 Kb非易失性存储器。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的,并且执行与RAM类似的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性,开销和系统级可靠性问题。
与EEPROM不同,FM24V05以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后,立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有显着的写入耐久性。同样,由于写操作不需要内部提高写电路的电源电压,因此F-RAM在写过程中的功耗比EEPROM低得多。 FM24V05-GTR能够支持1014个读/写周期,或比EEPROM多一亿倍的写周期。
这些功能使FM24V05非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例包括数据记录(其中写入周期的数量可能很关键)到苛刻的工业控制(其中EEPROM的长时间写入会导致数据丢失)。功能的组合允许更频繁的数据写入,而系统的开销却更少。
FM24V05-GTR作为串行插入(I2C)EEPROM的用户,可作为硬件的替代产品,从而带来很多好处。该设备包含一个只读的设备ID,该ID允许主机确定制造商,产品密度和产品版本。在–40°C至+85°C的工业温度范围内保证器件的规格。

特征:FM24V05-GTR
逻辑组织为64 K×8的512 Kb铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐用性100万亿(1014)读/写
151年数据保留(请参阅数据保留和持久性表)
NoDelay™写道
先进的高可靠性铁电工艺
快速2线串行接口(I2C)
频率高达3.4 MHz
直接硬件替换串行(I2C)EEPROM
支持100 kHz和400 kHz的传统时序
设备ID
制造商ID和产品ID
低功耗
100 kHz时的175μA有功电流
90μA(典型值)待机电流
5μA(典型值)休眠模式电流
低压工作:VDD = 2.0 V至3.6 V
工业温度:–40°C至+85°C
8引脚小尺寸集成电路(SOIC)封装
符合有害物质限制(RoHS)


制造商:FM24V05-GTR
Cypress Semiconductor
产品种类:
F-RAM
RoHS:
详细信息
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 85 C
系列:
FM24V05-G
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
Cypress Semiconductor
湿度敏感性:
Yes
工作电源电压:
2 V to 3.6 V
产品类型:
FRAM
工厂包装数量:
2500
子类别:
Memory & Data Storage

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