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ADRF5730串行外设接口 RF 端口设计数字衰减器

发布时间:2019/9/30 17:10:54 访问次数:839

adrf5730

0.5 db lsb、6位硅数字衰减器,100 mhz至40 ghz


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特征:

超宽带频率范围:100 mhz至 40 ghz

衰减范围:0.5 db 步进至 31.5 db

具有阻抗匹配的低插入损耗

2.1 db,最高为 18 ghz

2.9 db,最高为 26 ghz

4.8 db,最高为 40 ghz

具有阻抗匹配的衰减精度

±(0.10+1.0% 的衰减状态),最高 18 ghz

±(0.15+0.8% 的衰减状态),最高 26 ghz

±(0.35+2.5% 的衰减状态),最高 40 ghz

具有阻抗匹配的典型步进误差

± 0.18 db,最高为 18 ghz

± 0.23 db,最高为 26 ghz

± 0.51 db,最高为 40 ghz

高输入线性度

p0.1db 插入损耗状态:30 dbm

p0.1db 其他衰减状态:27 dbm

ip3:50 dbm(典型值)

高rf输入功率处理:27 dbm 平均值,30 dbm 峰值

相对相位中的紧凑分布

无低频开关杂散

spi 和并行模式控制,cmos / lvttl 兼容

rf建立时间(0.1 db 最终 rf 输出):250 ns






应用

工业扫描仪

测试和仪器仪表

蜂窝基础设施:5g毫米波

军用无线电、

雷达、

电子对抗(ecm)

微波无线电

和甚小孔径终端(vsat)

产品概述:

adrf5730

是一款硅、

6 位数字衰减器,

以 0.5 db 步长提供 31.5 db

的衰减控制范围。

该器件的工作频率范围

为 100 mhz 至 40 ghz,

提供优于 4.8 db 的插入损耗

和出色的衰减精度。

在所有状态下,

具有 27 dbm(平均值)

和 30 dbm(峰值

的射频(rf)输入功率处理能力。

需要 +3.3 v 和 −3.3 v 双电源电压供电

该器件具有串行外设接口(spi)、

并行模式控制

和互补金属氧化物半导体(cmos)/

低压晶体管对晶体管逻辑(lvttl)兼容控制特性。

adrf5730 rf 端口设计用于匹配 50 ω 的特征阻抗。

对于宽带应用,

采用符合 rohs 标准

24 引脚、

4 mm × 4 mm、

基板栅格阵列(lga)封装,

工作温度范围为 −40°c 至 +105°c。

(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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