双通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端
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功效：
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
高增益模式：3.6 ghz 时为 32 db（典型值）
低增益模式：3.6 ghz 时为 16 db（典型值）
低噪声指数
高增益模式：3.6 ghz 时为 1.45 db（典型值）
低增益模式：3.6 ghz 时为 1.45 db（典型值）
高隔离
rxout-cha 和 rxout-chb：47 db（典型值）
term-cha 和 term-chb：52 db（典型值）
低插入损耗：3.6 ghz 时为 0.65 db（典型值）
特征：
tcase = 105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par)：40 dbm
单一事件（<10 秒运行）
lte 平均功率 (9 db par)：43 dbm
高 oip3：32 dbm（典型值）
关断模式和低增益模式（针对 lna）
低电源电流
高增益模式：5 v 时为 86 ma（典型值）
低增益模式：5 v 时为 36 ma（典型值）
关断模式：5 v 时为 12 ma（典型值）
正逻辑控制
应用
无线基础设施
tdd 大规模多输入
和多输出以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品概述：
是一款双通道集成式射频 (rf) 前端多芯片模块，
专为工作频率为 2.4 ghz 至 4.2 ghz
的时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置，
包含级联两级低噪声放大器 (lna)
和高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在发射过程中，
当 rf 输入连接到端电极引脚（term-cha 或 term-chb）时，
该开关提供 0.65 db 的低插入损耗，
并在整个生命周期内处理 40 dbm
的长期演进 (lte) 平均功率（9 db 峰值/平均值比 (par)），
而在单一事件（<10 秒）lna 保护模式下为 43 dbm。
采用符合 rohs 标准
的紧凑型 6 mm × 6 mm 40
引脚
lfcsp 封装。
(素材来源：analog.如涉版权请联系删除。特别感谢）
