双通道 2.4 ghz 至 4.2 ghz 接收器前端
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功效:
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
高增益模式:3.6 ghz 时为 32 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 时为 16 db(典型值)
低噪声指数
高增益模式:3.6 ghz 时为 1.45 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 时为 1.45 db(典型值)
高隔离
rxout-cha 和 rxout-chb:47 db(典型值)
term-cha 和 term-chb:52 db(典型值)
低插入损耗:3.6 ghz 时为 0.65 db(典型值)
特征:
tcase = 105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par):40 dbm
单一事件(<10 秒运行)
lte 平均功率 (9 db par):43 dbm
高 oip3:32 dbm(典型值)
关断模式和低增益模式(针对 lna)
低电源电流
高增益模式:5 v 时为 86 ma(典型值)
低增益模式:5 v 时为 36 ma(典型值)
关断模式:5 v 时为 12 ma(典型值)
正逻辑控制
应用
无线基础设施
tdd 大规模多输入
和多输出以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统
产品概述:
是一款双通道集成式射频 (rf) 前端多芯片模块,
专为工作频率为 2.4 ghz 至 4.2 ghz
的时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置,
包含级联两级低噪声放大器 (lna)
和高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在发射过程中,
当 rf 输入连接到端电极引脚(term-cha 或 term-chb)时,
该开关提供 0.65 db 的低插入损耗,
并在整个生命周期内处理 40 dbm
的长期演进 (lte) 平均功率(9 db 峰值/平均值比 (par)),
而在单一事件(<10 秒)lna 保护模式下为 43 dbm。
采用符合 rohs 标准
的紧凑型 6 mm × 6 mm 40
引脚
lfcsp 封装。
(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)