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ADRF5160片内电路使用 RoHS 指令LFCSP 封装

发布时间:2019/9/29 10:23:08 访问次数:1167

adrf5160

0.7 ghz 至 4.0 ghz 高功率 88 w 峰值硅 spdt 反射开关

51电子网公益库存:
MGA-43528-TR1G
ADUM3151ARSZ-RL7
ADUM3151BRSZ
ADUM3160BRWZ-RL
MD2433-D8G-V3Q18-X-P
IPP60R600C6
IRFB7434PBF
ATMEGA32U4-MU
IRMCF183MTR
I15D00YYI
IPD079N06L3G
TPS65930A2ZCHR
MC34825EPR2
TPS62621YFFR
TPS62621YFFT
XQ4013E-4PG223M
LFU6831L
FU6812
FU6831N
FU6831Q
IPD600N25N3G
SC1229K1-TL
SC1229K-TL
ECHU1H103GX5
PMC251
XMC1301-T038F0032 AB
XMC1301-T016F0016 AB
XMC1302-T038X0032 AB
XMC1302T038X0032ABXUMA1
XMC1100-T016F0016 AA
AS3933-BTST
H11N1SR2M
IPD65R1K0CEAUMA1
MC74LCX07DR2G








功效:

反射式 50 Ω 设计

低插入损耗:0.7 db(典型值)

至 2.0 ghz

tcase = 105°c 下

具有高功率处理能力

长期(>10 年)平均值

连续波功率:43 dbm

峰值功率:49 dbm

lte 平均功率 (8 db par):41 dbm

单一事件(<10 秒)平均值

lte 平均功率 (8 db par):44 dbm

高线性度

p0.1db:47 dbm(典型值)

ip3:70 dbm(典型值)

esd 额定值

hbm:4 kv(3a 级)

cdm:1.25 kv

单一正电源:5 v

正控制,

cmos/ttl 兼容










应用

无线基础设施

军事和高可靠性应用

测试设备

pin 二极管替代方案

产品概述:

adrf5160

硅基高功率 0.7 ghz

到 4.0 ghz 硅单刀双掷 (spdt) 反射开关,

采用无引线的表面安装式封装。

此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用,

例如长期演进 (lte) 基站。

具有 41 dbm

高功率处理能力(长期(>10 年)

典型平均值 8 db par lte)、

0.7 db(典型值)至 2.0 ghz 的低插入损耗、

70 dbm 的输入 3 阶交调点 (ip3)(典型值)

和 47 dbm 的 0.1 db 压缩点 (p0.1db)。

片内电路使用 5 v 的单一正电源工作,

典型电源电流为 1.1 ma,

采用 rohs 指令

紧凑式 32 引脚

5 mm × 5 mm

lfcsp 封装。

(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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